日本將在本土建立新一代半導體研發(fā)中心，與美國聯(lián)合開(kāi)發(fā) 2nm 半導體芯片，并在 2025 年之前開(kāi)始生產(chǎn)。

　　昨天，日本外相林芳正和經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣萩生田光一在華盛頓會(huì )見(jiàn)美國國務(wù)卿布林肯和商務(wù)部長(cháng)雷蒙多，舉行了外務(wù)經(jīng)濟部長(cháng)級會(huì )談(又稱(chēng)經(jīng)濟版 2+2)，會(huì )上討論了發(fā)展中國家基礎設施投資、供應鏈安全等相關(guān)議題。

　　萩生田光一表示，日本將迅速進(jìn)行下一代的半導體研究，并將和美國建立一個(gè)新的研發(fā)基地以保證重要組件的來(lái)源足夠安全穩定。他還稱(chēng)這個(gè)研發(fā)中心將對其他志同道合的國家開(kāi)放。

　　雖然在會(huì )議上兩國沒(méi)有公開(kāi)該計劃的更多細節，但此前日本日經(jīng)新聞報道，這個(gè)半導體研發(fā)中心將在今年年底之前在日本成立，主要研究 2nm 半導體芯片，報道指出，該研發(fā)中心包括一條原型生產(chǎn)線(xiàn)，并在 2025 年之前開(kāi)始生產(chǎn)。

　　美國和日本在半導體領(lǐng)域算是從競爭走向合作，雙方的摩擦從 1980 年代后半期開(kāi)始，那時(shí)日本半導體制造企業(yè)席卷全球市場(chǎng)，擁有超過(guò) 50%的份額。隨后美國對日本半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行不斷打壓，日本半導體在全球市場(chǎng)的占有率降到 10%，1993 年，美國的半導體份額超過(guò)日本，并保持至今。在今年 5 月份，萩生田光一就曾向媒體表示：“關(guān)于和美國在半導體行業(yè)開(kāi)展合作，我感受到了命運的奇異。”
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英特爾表示 開(kāi)始逐步關(guān)...

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